二、“十一五”面临的形势
（一）集成电路技术发展趋势
市场和技术双重驱动创新。第三代移动通信、数字电视、下一代互联网等领域重大技术和市场的快速发展，“三网融合”的不断推进，驱动集成电路产业的技术创新和产品创新。多技术、多应用的融合将催生新的集成电路产品出现，纳米技术的发展、新体系架构等新技术发明也在孕育着新的突破。
集成电路设计新技术不断涌现。随着90纳米及以下微细加工技术和SoC设计技术的发展，软硬件协同设计、高速、高频、低功耗设计、IP复用、芯片综合／时序分析、可测性／可调试性设计、总线架构、可靠性设计等技术将得到更快的发展和更广泛的应用。
65～45纳米工艺将实现产业化。“十一五”期间，12英寸、65～45纳米微细加工工艺将实现工业化大生产，铜互联工艺、高K、低K介质材料等将大规模采用；新型栅层材料、下一代光刻技术、光学和后光学掩模版、新型可制造互连结构和材料、光刻胶等工艺、材料将成为技术研发的重点；SOI、SiGe等材料显示出了良好的应用前景。
适应更高要求的新型封装及测试技术成为主流。集成电路封装正向高密度、高频、大功率、高可靠性、低成本的方向发展。球栅阵列封装(BGA)、芯片倒装焊(Flipchip)、堆叠多芯片技术、系统级封装(SiP)、芯片级封装(CSP)、 多芯片组件(MCM)等封装类型将是“十一五”期间的主流封装形式。随着芯片性能的提高和规模的扩大，测试复杂度不断提高，自动测试技术和测试设备将快速发展，高速器件接口、可靠性筛选方法、高效率和低成本的测试技术等将成为测试的发展重点。
（二）集成电路市场分析
从上世纪70年代以来，世界集成电路市场虽有波动，但仍保持了年均约15％的增长率。经历了2001年的衰退后，世界集成电路市场销售额逐年增长，2005年实现销售额1928亿美元，达到历史最好水平。预计“十一五 |
